一、填空
1. 杂质半导体有 P 型和 N 型之分。
2. 集成稳压器7815，其输出端与接“地”端的输出电压为___15V___。
3. 放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是_调节偏置电流
4. PN结的基本特性是_单向导电性___。
5. 通常采用的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。
6. 如图所示电路中，输入A与输出F的逻辑关系式为__非门__。
7. 整流是利用二极管的_反向工作__特性。
8. 如果放大电路的静态基极电流太小，将产生_截止_失真。
9. 晶闸管阳极和阴极间加__正向电压__，控制极加适当的_触发电压_，晶闸管才能导通。
10. 射极输出器具有输入电阻高及输出电阻_小_的特点。
11. （101010）2＝（ 42 ）10＝（ 2A ）16＝（ 92 ）8
二、选择
1．在D触发器工作过程中，SD和RD应为( A )
A.高电平、高电平 B.高电平、低电平
C.低电平、低电平 D.低电平、高电平
2.逻辑电路如图所示，已知F=I，则ABCD的值为（ C ）
A.0101
B.1010
C.1110
D.1101
3.二极管两端电压大于（ B ）电压时，二极管才导通。
A.击穿电压； B.死区； C.饱和。
4.并联负反馈使放大电路输入电阻（ C ）.
A.增加； B.不变； C.减小； D.确定。
5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ C ）
A.放大状态；B.截止状态；C.饱和状态；D.不能确定。
6.TTL集成门电路是指（ A ）
A.二极管–三极管集成门电路 B.晶体管–晶体管集成门电路
C.N沟道场效应管集成门电路 D.P沟道场效应管集成门电路
7.电路如图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为( B )。
A.1mA
B.0mA
C.1A
D.3mA
8.关于晶闸管，下面叙述不正确的是（ B ）：
A.具有反向阻断能力；B.具有正向阻断能力；
C.导通后门极失去作用；D.导通后门极仍起作用。
9.逻辑电路如图所示，其对应的逻辑表达式为（ B ）
A．F＝
B．F＝A·B
C．F＝A＋B
D．F＝
10.设逻辑表达式F＝+C=0,则A、B、C分别为（ B ）
A.0、0、0 B.1、0、0
C.0、1、1 D.1、0、1
三、画图
1．逻辑门电路及输入信号波形如图，画出G、H、F的波形。
2．图（a）示门电路输入端A、B、C的波形如图（b）所示，试画出M端和输出端F的波形。
